NVMFS6H852NT1G
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NVMFS6H852NT1G |
---|---|
Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $1.25 |
10+ | $1.114 |
100+ | $0.8682 |
500+ | $0.7172 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 45µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.2mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3.6W (Ta), 54W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 40 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Ta), 40A (Tc) |
Grundproduktnummer | NVMFS6 |
MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 13A/57A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
MV8 P-CH 40V SO-8FL PORTFOLIO EX
MOSFET N-CH 80V 8.4A/29A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 8.7A/30A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 8.7A/30A 5DFN
T8 80V SO8FL
MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 13A/57A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 8.4A/29A 5DFN
T8 80V SO8FL
MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() NVMFS6H852NT1Gonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|